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LED Light Emitting Diode。發光二極體。
LED為通電時可發光的電子元件,是半導體材料製成的發光元件,材料使用III-V
族化學元素(如:磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等),發光原理是將電能轉換為光
,也就是對化合物半導體施加電流,透過電子與電洞的結合,過剩的能量會以光
的形式釋出,達成發光的效果,屬於冷性發光,壽命長達十萬小時以上。LED最大
的特點在於:無須暖燈時間(idling time)、反應速度很快(約在10^-9秒)、體積
小、用電省、污染低、適合量產,具高可靠度,容易配合應用上的需要製成極小
或陣列式的元件,適用範圍頗廣,如汽車、通訊產業、電腦、交通號誌、顯示器
等。
LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游,產品在外觀上差距相當大。上游
是由磊晶片形成,這種磊晶片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形,厚度相
當薄,就像是一個平面金屬一樣。LED發光顏色與亮度由磊晶材料決定,且磊晶
佔LED製造成本70%左右,對LED產業極為重要。上游磊晶製程順序為:單晶片(III
-V族基板)、結構設計、結晶成長、材料特性/厚度測量。
中游廠商就是將這些晶片加以切割,形成為上萬個晶粒。依照晶片的大小,可以
切割為二萬到四萬個晶粒。這些晶粒長得像沙灘上的沙子一樣,通常用特殊膠帶
固定之後,再送到下游廠商作封裝處理。中游晶粒製程順序為:磊晶片、金屬膜
蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。而,下游封裝順序為:晶粒、
固晶、黏著、打線、樹脂封裝、長烤、鍍錫、剪腳、測試。
整流二極體
二極體在半導體產業中通常被歸屬於分離式元件,而分離式元件又可分為二極體
、電晶體及閘流器三大類,整流二極體主要用途為整流與抑制異常訊號。
整流亦即將交流電轉換成為直流電。抑制異常訊號可將輸入訊號超出限定範圍部
份去除,維持輸入訊號之穩定,可以用來保護電路。其使用範圍遍及半導體、通
訊以及消費性電子等領域。
LED為通電時可發光的電子元件,是半導體材料製成的發光元件,材料使用III-V
族化學元素(如:磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等),發光原理是將電能轉換為光
,也就是對化合物半導體施加電流,透過電子與電洞的結合,過剩的能量會以光
的形式釋出,達成發光的效果,屬於冷性發光,壽命長達十萬小時以上。LED最大
的特點在於:無須暖燈時間(idling time)、反應速度很快(約在10^-9秒)、體積
小、用電省、污染低、適合量產,具高可靠度,容易配合應用上的需要製成極小
或陣列式的元件,適用範圍頗廣,如汽車、通訊產業、電腦、交通號誌、顯示器
等。
LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游,產品在外觀上差距相當大。上游
是由磊晶片形成,這種磊晶片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形,厚度相
當薄,就像是一個平面金屬一樣。LED發光顏色與亮度由磊晶材料決定,且磊晶
佔LED製造成本70%左右,對LED產業極為重要。上游磊晶製程順序為:單晶片(III
-V族基板)、結構設計、結晶成長、材料特性/厚度測量。
中游廠商就是將這些晶片加以切割,形成為上萬個晶粒。依照晶片的大小,可以
切割為二萬到四萬個晶粒。這些晶粒長得像沙灘上的沙子一樣,通常用特殊膠帶
固定之後,再送到下游廠商作封裝處理。中游晶粒製程順序為:磊晶片、金屬膜
蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。而,下游封裝順序為:晶粒、
固晶、黏著、打線、樹脂封裝、長烤、鍍錫、剪腳、測試。
整流二極體
二極體在半導體產業中通常被歸屬於分離式元件,而分離式元件又可分為二極體
、電晶體及閘流器三大類,整流二極體主要用途為整流與抑制異常訊號。
整流亦即將交流電轉換成為直流電。抑制異常訊號可將輸入訊號超出限定範圍部
份去除,維持輸入訊號之穩定,可以用來保護電路。其使用範圍遍及半導體、通
訊以及消費性電子等領域。
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